| 品牌 : | 松木 | 型号 : | ME15N10-G |
| 种类 : | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 : | N沟道 |
| 导电方式 : | 增强型 | 用途 : | CC/恒流 |
松木ME15N10-G替代新洁能-NCEPower，NCE0110AK，N沟道 MOSFET选型方案，欢迎咨询泰德兰电子
ME15N10一般说明
ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。
ME15N10特征
●RDS（ON）≦100mΩ@ VGS = 10V
●超高密度电池设计，可实现极低的R DS（ON）
●出色的导通电阻和 直流电流能力
ME15N10应用领域
●笔记本中的电源管理
●DC / DC转换器
●负荷开关
●液晶显示逆变器
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NCE0110AK描述
NCE0110AK 采用先进的沟槽技术和设计以提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 它可用于多种应用。
NCE0110AK一般特征
● VDS =100V,ID =10A
RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=10V（典型值：95mΩ）
RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=4.5V（典型值：100mΩ）
● 超低Rdson的高密度单元设计
● 充分表征雪崩电压和电流
● 良好的稳定性和均匀性，高EAS
● 的封装，良好的散热
● 高ESD能力的特殊工艺技术
NCE0110AK应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
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