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原装正品现货 松木ME2302(替代)AOS万代AO3414 N沟道功率场效应晶管图1

原装正品现货 松木ME2302(替代)AOS万代AO3414 N沟道功率场效应晶管

2022-12-14 21:28958
价格 面议
发货 北京
品牌 松木
库存 80000起订1个  
产品详情
品牌 : 松木 型号 : ME2302
种类 : 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 : N沟道
导电方式 : 增强型 用途 : CC/恒流

ME2302 简述:


ME2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺特别适合 小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,例如蜂窝 电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,以及非常小的外形表面贴装封装所需的低在线功率损耗。



ME2302 特性:


● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V


● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V


● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=1.8V


● 超高密度电池设计,RDS(ON) 极低


● 出色的导通电阻和 直流电流能力


ME2302 应用:


●笔记本电脑的电源管理


●便携式设备


●负荷开关


●差示扫描量热仪



AO3414简介:


AO3414 采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 1.8V 的栅极电压操作。 该器件适合用作负载开关或 PWM 应用


AO3414 特性:


漏源极电压 (Vdss):20V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Ta)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On( 值):50 毫欧 @ 4.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)( 值):1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):436pF @ 10V

功率 - 值:1.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3


制造商零件编号:AO3414

制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动


VDS= 20V


ID= 3A (VGS= 4.5V)


RDS(ON)< 62mΩ (VGS= 4.5V)


RDS(ON)< 70mΩ  (VGS= 2.5V)


RDS(ON)< 85mΩ  (VGS= 1.8V)




标签:AO3414简介,AO3414中文资料,AO3414原理图,AO3414代替


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