松木ME4411-G（代替）Aos万代AOSP21357P沟道30V (D-S) MOSFET

P 沟道 30V (D-S) MOSFET

ME4411-G一般说明

ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于 小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。

ME4411-G特征

● RDS(ON)≦10mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦13mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和 直流电流能力

ME4411-G应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

松木ME4411-G，P沟道30V (D-S) MOSFET（代替）长电CJQ4407S mos管

AOSP21357 30V P 沟道 MOSFET

AOSP21357介绍：

• 新先进的沟槽技术

• 低RDS(ON)

• 高电流能力

• 符合 RoHS 和无卤素标准

AOSP21357应用：

• 笔记本交流输入负载开关

• 电池保护充电/放电

AOSP21357概要：

 电压  -30V

ID（在 VGS=-10V 时）-16A

RDS(ON) (VGS=-10V) < 8.5mΩ

RDS(ON) (VGS=-4.5V) < 13mΩ

UIS 测试

Rg 测试